IV1D12010O2 Điốt đơn_CONG TY TNHH CONG NGHE FULLSHARE VIET NAM_Mạch tích hợp analog hiệu suất cao_Thiết bị logic lập trình_FPGA_Thiết bị tách MOS_Rơle_Điện dung_Điện trở

Số bộ phận：	IV1D12010O2
Các phân loại sản phẩm：	Điốt đơn
nhà sản xuất：	Inventchip Technology
mô tả：	DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
đóng gói：
đóng gói：	Ống
số lượng：	190
trạng thái rohs：	YES
chia sẻ

Số bộ phận：

IV1D12010O2

Các phân loại sản phẩm：

Điốt đơn

nhà sản xuất：

Inventchip Technology

mô tả：

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2

đóng gói：

Ống

số lượng：

190

trạng thái rohs：

YES

chia sẻ

các tham số sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Inventchip Technology
Loạt	-
Bưu kiện	Ống
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	TO-220-2
Kiểu lắp	Through Hole
Tốc độ	No Recovery Time > 500mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)	0 ns
Công nghệ	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Điện dung @ Vr, F	575pF @ 1V, 1MHz
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)	28A
Gói thiết bị của nhà cung cấp	TO-220-2
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba	-55°C ~ 175°C
Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)	1200 V
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If	1.8 V @ 10 A
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr	50 µA @ 1200 V

mô hình thay thế

                                          IV1D12010O2                                        

                                          瞻芯-IVCT                                        

                                        SiC SBD                                      