G2K2P10D3E FET đơn, MOSFET_CONG TY TNHH CONG NGHE FULLSHARE VIET NAM_Mạch tích hợp analog hiệu suất cao_Thiết bị logic lập trình_FPGA_Thiết bị tách MOS_Rơle_Điện dung_Điện trở

Số bộ phận：	G2K2P10D3E
Các phân loại sản phẩm：	FET đơn, MOSFET
nhà sản xuất：	Goford Semiconductor
mô tả：	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
đóng gói：
đóng gói：	Băng & Cuộn (TR)
số lượng：	4970
trạng thái rohs：	YES
chia sẻ

Số bộ phận：

G2K2P10D3E

Các phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

nhà sản xuất：

Goford Semiconductor

mô tả：

MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-

đóng gói：

Băng & Cuộn (TR)

số lượng：

4970

trạng thái rohs：

YES

chia sẻ

các tham số sản phẩm

PDF(1)

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Goford Semiconductor
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	8-PowerVDFN
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET	P-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	210mOhm @ 6A, 10V
Tản điện (Tối đa)	31W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 250µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	8-DFN (3.15x3.05)
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	4.5V, 10V
VSS (Tối đa)	±20V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	100 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	33 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	1668 pF @ 50 V

mô hình thay thế

                                          G2K2P10D3E                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      