FBG10N05ASH FET đơn, MOSFET_CONG TY TNHH CONG NGHE FULLSHARE VIET NAM_Mạch tích hợp analog hiệu suất cao_Thiết bị logic lập trình_FPGA_Thiết bị tách MOS_Rơle_Điện dung_Điện trở

Số bộ phận：

FBG10N05ASH

Các phân loại sản phẩm：

FET đơn, MOSFET

nhà sản xuất：

EPC Space

mô tả：

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

đóng gói：

số lượng lớn

số lượng：

trạng thái rohs：

chia sẻ

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	EPC Space
Loạt	eGaN®
Bưu kiện	số lượng lớn
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	4-SMD, No Lead
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	45mOhm @ 5A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 1.2mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	4-SMD
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	5V
VSS (Tối đa)	+6V, -4V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	100 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	2.2 nC @ 5 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	233 pF @ 50 V

KIỂU

SỰ MIÊU TẢ

người bán

EPC Space

Loạt

eGaN®

Bưu kiện

số lượng lớn

trạng thái sản phẩm

ACTIVE

Gói / Thùng

4-SMD, No Lead